BAS21LT1G分立半导体产品的那些中文资料
BAS21LT1G分立半导体产品压力超过最大额定参数可能损坏设备。最大评级是压力评级。以上推荐的功能操作操作条件不是暗示。接触压力高于延长推荐的操作条件可能影响设备的可靠性。安装在FR5 = 1.0 x 0.75 x0.062。
BAS21LT1G分立半导体产品特性
这些设备是Pb免费,无卤素/ BFR自由和RoHS兼容的
BAS21LT1G分立半导体产品参数
产品型号:bas21lt1g
最小反向电压vr(v):250
最大反向漏电流ir(?a):0.100
正向恢复电压vf最小值(v):－
正向恢复电压vf最大值(v):1
最大二极管电容ct(pf ):5
反向恢复时间trr(ns):50
类型:单开关管
封装/温度(℃):sot-23/-55~150
BAS21LT1G分立半导体产品最大额定参数
x = P,R、S
P = BAS19LT1
R = BAS20LT1
S = BAS21LT1或BAS21DW5T1
M =日期代码
= Pb免费包
2
3.
Jx米
1
3.
1 2 3
5个4
日期代码取向和/或overbar可能会有所不同根据制造业的位置。
订购信息
在包看到详细的订购和配送信息本数据表的第4页尺寸部分。
注:1。正向电流的2.0 k调整可变电阻器(如果)30 mA。
注:2。调整输入脉冲红外(峰值)等于30 mA。
注:3。tp?trr BAS21LT1G分立半导体产品的那些中文资料 BAS21LT1G分立半导体产品的那些中文资料
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