STB3NK60ZT4的特征描述
STB3NK60ZT4描述：N沟道600V-3.3ohm-2.4ATO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK齐纳保护；STB3NK60ZT4特征
典型RDS(上)= 3.3
极高的dv / dt的能力
100%雪崩测试
门费用最小化
非常低的内在的功放
很好的生产
STB3NK60ZT4描述
的SuperMESH系列获得通过极端的优化建立stripbased圣的好PowerMESH布局。
除了推导通电阻明显下降,特别注意以确保很好的dv / dt能力最苛刻的应用程序。这种系列的补充圣全系列高压mosfet包括革命MDmesh产品。
STB3NK60ZT4应用程序
高电流、高速切换
适合离线电源
适配器和PFC
照明
GATE-TO-SOURCE齐纳二极管的保护特性
内置的背靠背稳压二极管不仅专门设计来提高设备的防静电功能,但是也可能让他们安全地吸收电压瞬变,偶尔会从这门应用到源。
在这方面,齐纳电压是实现一个有效的和适当的具有成本效益的干预,以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免外部组件的使用。
STB3NK60ZT4注意:
1.脉冲,脉冲持续时间= 300?s,占空比1.5%。
2.脉冲宽度限制安全操作区域。
3.输出电容eq.被定义为一个常数等效电容给输出电容的充电时间当VDS公司增加从0到80%vds公司。 STB3NK60ZT4的特征描述
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