SDRAM写操作
在状态转移图中，我们可以发现在初始化完成之后，对SDRAM进行读或者写操作之前，我们还需要有一个命令”ACT”（这个命令在我们的初始化时序图中也出现了，只是我们是拿到了这里来讲），这个命令的意思说成大白话就是”行有效”命令，就是让SDRAM中的某一行活动起来，以便我们进行读或写。在正式讲写操作之前，还有一点希望大家能注意一下，可能细心的朋友已经发现了，在我们的状态转移图中有”WRITE”和”WRITEA”这两个状态，处于这两个状态时，我们都可以对SDRAM进行写操作，只是说在”WRITEA”状态，我们每写完一个突发长度的数据之后，SDRAM会自动跳出这个状态进行刷新，而在”WRITE”状态，是需要给相应的指令之后才会跳出”WRITE”状态的，所以为了提高SDRAM的运行速度，我们一般采用不让SDRAM进入”WRITEA”状态来提高速度。当然”READ”和”READA”这两个状态的区别也是这样的。
http://dengkanwen.com/wp-content/uploads/2016/01/write-without_autoprecharge.png 666666666666 sdram的写是连续写么？
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