lcytms 发表于 2017-5-6 19:49:32

跟李凡老师学FPGA控制SDRAM之D03:SDR的写(20170506课堂笔记)

本帖最后由 lcytms 于 2017-5-9 20:56 编辑

跟李凡老师学FPGA控制SDRAM之D03:SDR的写(已上电和刷新)(20170506课堂笔记)

用笨笔头整理课堂笔记,用以备忘,温故而知新。
整理文稿的细节处未能一一体现李凡老师讲课精髓和独特风采,有待下一步补充完善。
感谢李凡老师博大精深的学识、孜孜不倦的教诲,并敬请李凡老师原谅本人拙劣的课堂笔记。

近期精彩课程安排如下图。
实际执行可能会有所调整,谨供参考。

lcytms 发表于 2017-5-6 19:50:39

0901
        国内半导体像SDRAM、DRAM技术,竞争还是差一点。
        准备嘛,紫光嘛,准备来和三星的竞争,准备在闪存领域,SDRAM暂时还进不去。

lcytms 发表于 2017-5-6 20:15:36

本帖最后由 lcytms 于 2017-5-6 20:17 编辑

0902
        SDRAM这个领域里面,以前是美国,美光的老大,Micron,说现在已经三星反超了。
        由于数字世界的发展,虚拟现实、扩展现实,以及网络服务器阵列的市场需求,对于SDRAM的供货,始终是供不应求。
        所以说现在三星居上了。
        在这个领域里面,也是我们应聘的时候,企业比较关心的,问的问题比较多的。
        那么,我们今天加入读写之前,我们将这个已经做完的上电刷新的这个部分,做一个分享。
        上周布置的练习。
        10这个版本,已经做了上电的,做完的。
   

lcytms 发表于 2017-5-6 20:26:54

0903
        再看一下。
        这是第三组,第四组给我们加上刷新。
        实际上这个性质就变了,因为第三组仅仅是一个模块,是一个状态机的设计,那么加上一个刷新以后,就构成了一个FSMD的模型了。
        是麻雀虽小、五脏俱全的一个模型。
        报告已经出来了,单位是ps。
        还是cke是低电平的时候,cke是冻结的时候。
        所以说,前面报的错都没关系,cke是冻结着的。
        Cke是低电平,之前。

cope9114 发表于 2017-11-17 23:18:19

楼主,有这一节的代码吗

lcytms 发表于 2017-11-18 09:23:42

cope9114 发表于 2017-11-17 23:18
楼主,有这一节的代码吗

腾讯课堂上搜索至芯科技,会有相关内容的完整视频,免费观看。
代码暂时还没有对外发放,尚在整理之中。

cope9114 发表于 2017-11-18 18:26:08

哦哦,视屏中李老师修改了什么地方,才正确出图的

lcytms 发表于 2017-11-18 21:33:28

cope9114 发表于 2017-11-18 18:26
哦哦,视屏中李老师修改了什么地方,才正确出图的

现在还没有具体整理,也没法告诉你。
不过你可以回放一下视频,或许有交代。
这个视频裁剪很少,基本是课程实录,很多代码在视频上都能对应出来的。

cope9114 发表于 2017-11-19 10:03:35

修改的过程裁剪了,直接调到了修改后的,script显示有问题直接到没问题,搞不清楚怎么回事,代码也对应了好几遍,你的

lcytms 发表于 2017-11-19 10:28:25

cope9114 发表于 2017-11-19 10:03
修改的过程裁剪了,直接调到了修改后的,script显示有问题直接到没问题,搞不清楚怎么回事,代码也对应了好 ...

你看得非常仔细,那就应该不是裁剪的事,应该是问题讨论的过程没有录制,有点遗憾了。
裁剪只是把一些敏感的人名、个人信息、学生正面形象去掉,其它基本没动。
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