SDRAM、DRAM及DDR FLASH ROM概念详解

存储器
存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件

许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。每个单元由若干二进制位(8位 16位 32位)构成，以表示存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构非常相似

存储器的单元地址只有一个，固定不变，而存储在其中的信息是可以更换的

那么就简单明了了，存储器就是按照二进制来存储数据的器件，存储空间叫做存储区
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按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)，

存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。其中的“易
失/非易失”是指存储器断电后，它存储的数据内容是否会丢失的特性。由于一般易失性存储器
存取速度快，而非易失性存储器可长期保存数据，它们都在计算机中占据着重要角色。在计算机
中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘

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1、RAM：
随机存取存储器，缩写：RAM，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。

2、ROM：
只读存储器以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。 当然，现在的ROM包括闪存就是U盘，包括固态硬盘等，都是可写入的。ROM已经不是只读的了。

RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。 并且RAM的速度要远远高于ROM的速度。
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而RAM 又分为静态随机访问存储器（Static Random Access Memory - SRAM）和动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory -DRAM)两种

SRAM
SRAM，静态的随机存取存储器，又被称为静态RAM，利用双稳态电路进行存储。即使有干扰对稳态电路也没影响，所以有双稳态性，“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就可以一直保存，只要有电，SRAM中的数据就不会有变化。加电情况下，不需要一直刷新，数据不会丢失，

SRAM 的存储单元以锁存器来存储数据，种电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态
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DRAM
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。，有电荷代表 1，无电荷代表 0，由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。DRAM读取具有破坏性，也就是说，在读操作中会破坏内存单元行中的数据。因此，必需在该行上的读或写操作结束时，把行数据写回到同一行中。这一操作称为预充电，是行上的最后一项操作。必须完成这一操作之后，才能访问新的行，这一操作称为关闭打开的行。

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SDRAM
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步的DRAM

DRAM可以分为同步和异步两种，这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分。

下图是一种利用时钟进行同步的通讯时序，它在时钟的上升沿表示有效数据，也就是SDRAM
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同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；
动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；
随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。
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SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量

W9825G6KH这一款SDRAM的内存 = 4×213×29×16 = = 256Mbit，即32MB。

STM32内部有SRAM和FLASH作为内存和程序存储空间，但当程序比较大的时候就需要在芯片外部扩展存储器，可以使用FSMC方式将SRAM外扩作为内存。

在CPU中，SRAM用做cache，DRAM用做主存

DRAM 与 SRAM 的应用场合
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保 持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。

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EEPROM
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) 是电可擦除存储器。EEPROM 可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修
改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的 ROM 芯片都是 EEPROM。

FLASH
flash（Flash Memory）闪存是非易失存储器,掉电不丢失数据，容量大，价格便宜，容量一般比 EEPROM 大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位

FLASH：存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据 ,同时可以快速读取数据。,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。

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可以分为NAND FLASH和NOR FLASH

NOR FLASH
NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，采取内存的随机读取技术

NAND FLASH
NAND 闪存的存储单元则采用串行结构，没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。

具体

NOR FLASH读取速度比NAND FLASH快，但是容量不如NAND FLASH，价格上也更高，但是NOR FLASH可以芯片内执行，样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NANDFLASH密度更大，可以作为大数据的存储。

DDR
ddr是一个内存名称，意思即双倍速率同步动态随机存储器，是内存的其中一种

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。

DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

DDR SDRAM 有多个内存条，提供多个隔行扫描的内存访问，从而提高内存带宽。内存条是一个内存阵列，两个内存条是两个内存阵列，四个内存条是四个内存阵列，

而DDR经历到现在已经到了DDR5 每代具体的区别请看百度百科 ddr （内存名称）

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SDRAM, DDR1, DDR2, DDR3以及DDR4对比表

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SDRAM、DRAM及DDR FLASH ROM概念详解