CMOS图像传感器推出样品

东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)宣布，该公司整合了彩色降噪(CNR)电路的800万像素、1.12微米背面照明(BSI) CMOS图像传感器推出样品。

   新款1.12微米的图像传感器“T4K35”整合了背面照明和彩色降噪技术，令其信噪比(SNR)与东芝现有的1.4微米产品相当。新产品支持芯片和摄像头模块的微型化，并将为更纤薄的智能手机和平板电脑的问世做出贡献。

    对当下1.12微米像素图像传感器的像素微型化已经降低了光敏感度和信噪比，导致图像品质变差。虽然单是背面照明技术就可改善敏感度，但仍达不到理想的图像品质。通过利用其创新与技术专长，东芝开发出一款同时整合背面照明和彩色降噪技术的CMOS图像传感器，直接解决了低光敏感度和信噪比等难题。新款CMOS图像传感器的信噪比值较未采用彩色降噪技术的1.12微米像素图像传感器高出约1.5倍，从而让制造商能够开发出即便在弱光条件下也能呈现高品质图像的产品。

CMOS图像传感器推出样品