中国集成电路产业发展将呈现三大新趋势

      在24日的“2016中国半导体市场年会暨第五届中国集成电路产业创新大会”上，与会领导及嘉宾发言一致显示，
中国集成电路产业发展将呈现三大新趋势：自主创新将被大力扶持、存储器是今年的发展重点、超越摩尔领
域将成为新热点。
中科院院士倪光南、中科院微电子所所长叶甜春一致认为，中国集成电路发展要走自主创新的道路。叶甜春强调
在中国集成电路有了一定基础后，提倡自主创新，尤其是原始创新和集中创新是当务之急;倪光南则对比联想、华
为的发展，表示中国集成电路还是要走自主创新道路。存储器将是今年的发展重点。国家集成电路产业投资基金
股份有限公司(下称大基金)总经理丁文武表示，大基金今年的重点之一就是支持存储器发展。据悉，武汉新芯二
期存储器项目、江苏淮安德科玛图像传感器IDM项目、重庆AOS12寸MOSFET功率半导体项目均将于3月份启动。
基于物联网的发展，超越摩尔领域正在受到越来越多的关注。工信部副部长怀进鹏多次提到要大力发展超越摩尔
领域相关技术和产品，叶甜春则表示IC未来的发展方向在物联网，MEMS与集成电路的融合将是趋势。

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中国集成电路产业发展将呈现三大新趋势