集成电路技术分享

 找回密码
 我要注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
查看: 2144|回复: 0

台积电宣布发展20纳米工艺

[复制链接]
老怪甲 该用户已被删除
老怪甲 发表于 2010-4-27 10:52:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会,会中宣布将跳过22纳米工艺,直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定,提供客户一个更可行的先进工艺选择。
此次技术研讨会有1,500位客户及合作厂商代表参加,TSMC研究发展资深副总经理蒋尚义在会中表示,TSMC20纳米工艺将比22纳米工艺拥有更优异的闸密度(gate density)以及芯片性价比,为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的工艺平台。此外,20纳米工艺预计于2012年下半开始导入生产。
TSMC20纳米工艺系在平面电晶体结构工艺(planar process)的基础上采用强化的高介电值/金属闸(high-k metal gate)、创新的应变硅晶(strained silicon)与低电阻/超低介电值铜导线(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技术。同时,在其他电晶体结构工艺方面,例如鳍式场效电晶体(FinFet)及高迁移率(high-mobility)元件,也展现了刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。
从技术层面来看,由于已经具备了创新微影技术以及必要的布局设计能力,TSMC因此决定直接导入20纳米工艺。
然而,蒋资深副总指出,在先进工艺技术的开发上,我们已经面临一个关键时刻,也就是必须主动积极地考量其投资回报率,并且需要打破仅考虑技术层面的思维模式;我们必须通过与客户密切合作以及在资源整合与最佳化方面的创新,同时解决来自技术及经济层面的挑战。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 我要注册

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

QQ|小黑屋|手机版|Archiver|fpga论坛|fpga设计论坛 ( 京ICP备20003123号-1 )

GMT+8, 2024-12-23 23:45 , Processed in 0.056527 second(s), 20 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2023 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表