集成电路技术分享

 找回密码
 我要注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
查看: 1975|回复: 1

IC产业的进步取决于IC制造商继续提供更多性能和功能的能力

[复制链接]
liuliyingzho 发表于 2019-2-25 15:01:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
IC产业的进步取决于IC制造商继续提供更多性能和功能的能力。随着主流CMOS工艺在理论,实践和经济方面的限制,降低IC成本(基于每个功能或每个性能)比以往任何时候都更具挑战性和挑战性。2019年版IC Insights的McClean报告(500页),有关集成电路行业的完整分析和预测(2019年1月发布)表明,公司提供的面向逻辑的工艺技术比以往任何时候都多。
英特尔 - 其2018年末推出的第九代处理器的代号为“Coffee Lake-S”,有时也称为“Coffee Lake Refresh”。英特尔称这些处理器是新一代产品,但它们似乎更多增强了第八代产品。细节很少,但这些处理器似乎是在14nm ++工艺的增强版本上制造的,或者可能被认为是14nm +++工艺。
使用其10nm工艺的大规模生产将在2019年推出,它将于2018年12月推出新的“Sunny Cove”系列处理器。看起来Sunny Cove架构基本上取代了应该是10nm的Cannon Lake架构。预计到2020年发布,当然10nm +衍生工艺将进入批量生产阶段。
台积电 - 台积电的10nm finFET工艺于2016年底投入批量生产,但已从10纳米迅速发展至7纳米。台积电相信7nm产品将成为28nm和16nm等长寿命节点。
台积电5纳米工艺正在开发中,预计将于2019年上半年进入风险生产阶段,到2020年将开始量产。该工艺将使用EUV,但它不会是台积电利用EUV技术的第一个流程。首先是该公司7nm技术的改进版本。N7 +工艺仅在关键层(四层)上使用EUV,而N5工艺将广泛使用EUV(最多14层)。N7 +计划于2019年第二季度投入量产。
三星 - 在2018年初,三星开始批量生产第二代10nm工艺,称为10LPP(低功率+)。在2018年晚些时候,三星推出了第三代10nm工艺,称为10LPU(低功耗终极),提供了另一项性能提升。三星采用10nm的三重图案光刻技术。与台积电不同,三星认为其10纳米工艺系列(包括8纳米衍生产品)的生命周期很长。
三星的7nm技术于2018年10月投入风险生产。该公司不再提供采用浸没式光刻技术的7nm工艺,而是决定直接采用基于EUV的7nm工艺。该公司正在将EUV用于7nm的8-10层。
GlobalFoundries - GF将其22nm FD-SOI工艺视为其市场,并与其14nm finFET技术相辅相成。该公司称22FDX平台的性能与finFET非常接近,但制造成本与28nm技术相同。
2018年8月,GlobalFoundries宣布将停止7nm开发,因为该技术节点的生产成本增加,并且因为有太少的代工客户计划使用下一代工艺,因此对战略进行了重大转变。因此,该公司转向其研发工作,以进一步增强其14nm和12nm finFET工艺及其完全耗尽的SOI技术。
五十年来,集成电路技术的生产率和性能得到了惊人的改善。虽然该行业已经克服了摆在它面前的许多障碍,但似乎障碍仍在不断扩大。尽管如此,IC设计人员和制造商正在开发比增加芯片功能更具革命性的解决方案。
Sunlife 发表于 2019-2-25 18:40:13 | 显示全部楼层
                        
您需要登录后才可以回帖 登录 | 我要注册

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

QQ|小黑屋|手机版|Archiver|fpga论坛|fpga设计论坛 ( 京ICP备20003123号-1 )

GMT+8, 2024-12-23 23:40 , Processed in 0.057855 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2023 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表