SDRAM详细介绍

SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器。同步是指其时钟频率和CPU前端总线的系统时钟相同，并且内部命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。

SDRAM内存芯片的内部结构
1.逻辑Bank与芯片位宽：
现在进行深入了解SDRAM的内部结构。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单的说，SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储，就很难做的随机访问了。

阵列就如表格一样，将数据"填"进去，你可以把它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一行(Row)，再指定一列(Column)，我们就可以准确的找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元，那么这个表格叫什么呢？它就是逻辑Bank(简称L-Bank)。下图是存储阵列(L-Bank)示意图。

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由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅度降低内存效率。所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。

这样，在进行寻址时就要先确定是那个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择对应的行与列进行寻址。可见对内存的访问，一次只能一个L-Bank工作，而每次与内存控制器交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个"存储单元"的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word。

而SDRAM内存芯片一次传输的数据量就是芯片的位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽，但是要主要，这种关系仅对SDRAM有效。原因将在下文中说明。

提示：DRAM的存储原理

L-Bank中的存储单元是基础的存储单位，它的容量是若干bit(对于SDRAM而言，就是芯片的位宽)，而每个bit则是存放于一个单独的存储中。这些存储体就是内存中最小的存储单元。你可以用硬盘操作中的簇与扇区的关系来理解内存中的存储形式。扇区是硬盘中的最小存储单元，而每个簇则包含有多个扇区，数据的交换都是一个簇为单位进行(一次传输一个存储单元的数据)。
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