DDR技术

DDR SDRAM是双倍数据速率（Double Data Rate）SDRAM的缩写。从名称上可以看出，这种内存在技术上，与SDRAM有着密不可分的关系。事实上，DDR内存就是SDRAM内存的加强版。DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，理论上使用原来的工作的频率可以产生2倍的带宽。同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为133MHZ DDR="266MHZ" SDR。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。但是DDR存在自身的局限性—DDR只是在SDRAM基础上作简单改良，并行技术与生俱来的易受干扰特性并没有得到丝毫改善，尤其随着工作频率的提高和数据传输速度加快，总线间的信号干扰将造成系统不稳定的灾难性后果；反过来，信号干扰也制约着内存频率的提升——当发展到DDR400规范时，芯片核心的工作频率达到200MHz，这个数字已经非常接近DDR的速度极限，只有那些品质优秀的颗粒才能够稳定工作于200MHz之上，所以DDRⅡ标准就成了一种进一步提高内存速度的解决方法。

666666666666