双通道内存控制器技术

所谓双通道DDR，简单来说，就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据。这两个相互独立工作的内存通道是依附于两个独立并行工作的，位宽为64-bit的内存控制器下，因此使普通的DDR内存可以达到128-bit的位宽，如果是DDR333的话，双通道技术可以使其达到DDR667的效果，内存带宽陡增一倍。双通道DDR有两个64bit内存控制器，双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。例如，当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器 A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%，双通道技术使内存的带宽翻了一翻。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用三条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的密度来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。双通道DDR技术带来的性能提升是明显的，DDR266能够提供2.1GB/s的带宽，而双通道DDR266则能提供4.2GB/s的带宽。以此类推，双通道DDR333和DDR400能够达到5.4GB/s和6.4GB/s。

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双通DDR和sdram的区别是什么？

双通道内存控制器技术

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