利用谐振转换器实现高效率

利用谐振转换器实现高效率
　　有多种DC/DC电源转换拓扑可以用来降低开关损耗、功率MOSFET上的器件应力和射频干扰(RFI)，同时实现很高的功率密度。在这些拓扑中，使用MOSFET的体二极管实现零电压开关的谐振转换器，可以实现更高的效率。特别是LLC谐振转换器，它可以在高输入电压和次级整流器上的低电压应力状态下获得高效率，这是因为次级没有电感。另外，LLC谐振转换器在没有负载的条件下也能保证零电压开关(ZVS)。零电压开关技术能够显著降低开关损耗，同时大幅提高效率。此外，零电压开关还能有效降低开关噪声，从而允许使用小尺寸的电磁干扰滤波器。
　　由于具有这些独特的性能，LLC谐振转换器正在成为包括LED街灯照明在内的许多应用的流行拓扑。FAN7621S提供了构建可靠、耐用的LLC谐振转换器所必需的一切条件。该器件包含了高压侧栅极驱动电路、精确的电流控制振荡器、频率限制电路、软启动和内置保护功能，因此可以简化设计、提高产能。
　　FAN7621S具有多种保护功能，如过压和过流保护(OVP/OCP)、异常过流保护(AOCP)和内部热关断(TSD)。鉴于LED街灯照明系统的特殊应用要求，所有保护都具有自启动特性。高压侧栅极驱动电路具有共模噪声抵消功能，这种优秀的抗噪声能力能够保证系统稳定工作。在输出短路状态时，最新谐振转换器的工作点还可以移动到零电流开关(ZCS)区域。图1显示了工作点是如何移动的。在这种情况下，零电压开关不再有效，MOSFET将传导特别大的电流。零电流开关工作的最大缺点是导通点发生硬开关，这将导致MOSFET体二极管产生反向恢复应力。
　　体二极管在很大的dv/dt时会关断，从而产生一个高的反向恢复电流尖峰。这些尖峰要比稳定状态的电流幅度高出10倍。如此大的电流会导致损耗增加，并使MOSFET升温。而结点温度的上升将导致MOSFET的dv/dt性能下降。在极端情况下，可能会损坏MOSFET，并致使系统故障。
　　最新的MOSFET技术
　　MOSFET的体二极管一般具有很长的反向恢复时间和很大的反向恢复电荷。尽管性能较差，但这种体二极管常被用作续流二极管，因为其电路简单，在谐振转换器这样的应用中不会增加系统成本。随着越来越多的应用将固有体二极管用作系统中的关键元件，飞兆半导体在深入分析MOSFET故障机制的条件下，为谐振转换器设计出了一款高度优化的功率MOSFET。这种MOSFET提高了体二极管的耐用性，而且输出电容中存储的能量较少。如表1所示，与替代方案相比，新型UniFET II MOSFET系列器件的反向恢复电荷(Qrr)大幅减少了50%和80%。
　　MOSFET的电容是非线性的，取决于漏-源极电压，因为MOSFET电容实际上就是结点电容。在软开关应用中，MOSFET输出电容可以用作谐振元件。当MOSFET通时，为了支持零电压开关，从变压器存储的磁能中提取的电流将发生流动，从而给MOSFET输出电容放电。因此，如果MOSFET输出电容存储的能量较小，达到软开关所要求的谐振能量就较小，不会增加循环能量。与典型开关电源大电容电压下导通电阻相同的竞争性器件相比，UniFET II MOSFET系列器件的输出电容存储的能量要少大约35%。
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