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美光科技推出第三代低延时内存

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老怪甲 该用户已被删除
老怪甲 发表于 2010-7-16 16:04:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
2010年7月14日, 北京讯 -美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM3内存)-一种高带宽内存技术,能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展,对网络基础设施提出了更高效的要求,以便在线传输大量数据。与前几代产品相比,美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度,同时最大限度地减少了延迟,降低了功耗,在网络应用中性能更好。

美光的DRAM营销副总裁Robert Feurle说:"随着互联网内容消费的不断增长,人们日益需要有一种能支持网络流量增长的技术,美光的RLDRAM 3内存满足了这种需求"。

对于现有的RLDRAM 2,美光将继续提供最高水平的技术支持,并计划长期生产该产品。此外,美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm工艺,提高系统性能,降低功耗。

RLDRAM 3内存产品特点
美光新的RLDRAM 3内存的主要特点及优点有:
低延时:tRC不足10纳秒,是业界最低的随机存取延时
高密度:576Mb-1Gb,灵活性高,可用于多种设计
高速率:达2133Mb/s,数据存取速度更快
高能效:1.2V IO和1.35V内核电压,更省电
构建RLDRAM 合作伙伴网络
美光维持着庞大的合作伙伴网络,使其RLDRAM存储解决方案能更方便地与网络设备集成。美光与其合作伙伴展开了广泛合作,为客户提供量身定制的解决方案,优化网络系统性能。作为这个价值生态系统的一部分,美光目前合作的领先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx,RLDRAM 3内存可集成到其产品系列中。

Altera组件产品营销资深总监Luanne Schirrmeister说:"Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化数据通路,针对美光内存设有高性能、低延迟接口。RLDRAM 3内存的发布让我们的内存带宽可高达1600 Mbps,为行业内最高速度,大幅降低了延时。美光新的存储产品搭配Altera新的内存接口架构是一项重要技术成果,是我们与美光多年技术合作的一项巅峰之作。"

Xilinx应用和技术营销资深总监Rina Raman说:"Xilinx 7系列FPGA应用于最高级的网络设备,用于满足全世界对带宽无止尽的需求。我们与美光合作,支持其新的RLDRAM 3技术,让我们的客户能够开发网络平台,来满足最严格的基础设施需求。"

产品可用性
美光预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样,目前正与客户合作,征求其对RLDRAM 3内存设计的意见。此外,美光预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。

相关链接
了解美光最新消息的途径有:
美光创新博客:www.micronblogs.com
美光的Twitter:http://twitter.com/microntechnews
美光新闻:www.micron.com/media
关于美光科技(Micron Technology, Inc)
美光科技是世界领先的先进半导体解决方案提供商之一。美光依托全球性运营,制造和销售一系列DRAM、NAND和NOR闪存、以及其他创新存储技术、包装解决方案和和半导体系统,用于前沿计算、消费、联网和移动产品。美光的普通股在NASDAQ上市交易,代码为MU。欲了解有关美光的更详尽信息,请访问www.micron.com

美光的logo请见:http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950

美光和美光轨道标识属于美光商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。RLDRAM是Qimonda AG在许多国家的注册商标,由美光使用,但须经Qimonda授权。
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