英特尔10nm计划将提前 进一步领先台积电

半导体巨人英特尔发布最新的先进制程技术蓝图，其中众所关注的10纳米预计2015年量产，比原先规划时间提早一年，并进一步拉大领先台积电的时间。

台积电的10纳米预计2017年量产，较英特尔晚两年。半导体业界人士表示，虽然英特尔技术不断超前，是因应处理器速度的需求，但英特尔已在晶圆代工正式卡位，一旦10纳米在2015年量产，对台积电仍有潜在的竞争压力。

台积电日前一度因为美国宽松货币政策传出退场，跌破108元月线区，昨天股价收盘小涨1.5元，收在109.5元，股价获得支撑。

英特尔副总经理兼元件研究处长麦克(Mike Mayberry)在刚刚落幕的比利时微电子研究机构IMEC2013科技论坛演讲中确认，英特尔已确定10纳米可于2015年量产。

根据最新技术蓝图，英特尔重申继续执行「Tick-Tock」发展策略，也就是每两年将对半导体技术制程进行大规模升级。英特尔预计2014年导入14纳米制程，2015年导入10奈足制程，并计划于2017年抵达7纳米的极先进水平。

不过，麦克(Mike Mayberry)表示，英特尔也在研发10纳米以下替代矽的半导体材料，如3-D晶体管、三五族复合半导等，只希望能将半导体性能发挥至极致，提升各类运算的应用需求。

英特尔今年初因与台积电大客户阿尔特拉(Altera)签署14 纳米Finfet代工合约，被视为进军晶圆代工的正式起跑点。

台积电共同营运长暨执行副总蒋尚义上月表示，台积电以前与英特尔「河水不犯井水」，不过，随着英特尔开始抢台积电客户的生意，台积电先进制程技术发展将加速，希望在10纳米全面赶上英特尔。

台积电预计16纳米Finfet仅与20纳米差距一年，于2015年推出，10纳米计划2017年导入量产，在英特尔技术不断领先下，对台积电形成挑战。