三星电子量产20纳米4Gb DDR3

1、三星电子量产20纳米4Gb DDR3

三星电子近日宣布正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制，创新性地研发出“改良版双重照片曝光技术”和“超薄介电层成型技术”，开创了内存存储器制造技术的新纪元。

新一代20纳米DDR3 DRAM的生产率比25纳米DDR3提高了30%以上，更比30纳米级DDR3提高了超过一倍。同时，基于20纳米的DDR3 DRAM模组的耗电量同比基于25纳米的DDR3降低了25%，将为全球IT企业提供最优质的“超节能绿色IT方案”。



三星电子一直是DRAM领域的领导，2013年第四季度，三星电子以48.9%的市场份额继续领跑全球移动DRAM市场。在智能手机和平板电脑的刺激下，超小型的DRAM的需求越来越大。三星电子正式量产世界最小型4Gb DDR3必能第一时间抢占市场。