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芯片电感器

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zhiweiqiang33 发表于 2014-4-11 14:15:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
美国加州大学柏克莱分校(UC Berkeley)的科学家们表示已经找到一种可推动芯片电感器(on-chip inductor)技术进展的新方法,将有助于催生新一代微型射频(RF)电子与无线通讯系统设计。

加州大学的研究人员们深入探索在奈米磁铁(nanomagnet)中奈米材料合成的最新发展。根据加州大学柏克莱分校机械工程系教授Liwei Lin表示,研究人员们发现,采用外覆绝缘层的磁性奈米粒子可使高频的芯片电感器尺寸缩小,同时提升性能,同时,藉由其高截止频率提供良好的导磁率,从而降低在高频作业时的涡流损耗。

工程师们经常面对的问题是,在试图缩减芯片电感器尺寸的同时,还得保持其最佳电感与性能。Liwei Lin表示这些困难主要来自于“基本科学以及工程实践约束”所造成的限制。

芯片电感器技术并未发生像电晶体技术一样的进展电晶体技术在过去40年来一直遵循摩尔定律。电感器在电路上算是一款被动元件被归类于“超越摩尔定律”的领域,因此整合的是不会因摩尔定律而微缩的RF与MEMS等非数位化功能。

芯片电感器架构需要较大的面积,因为在其金属走线之间需要一定的长度、匝数、厚度与空间,以实现适当的电感与性能。然而,对于要求较大的面积则可能会因为在旋转线圈和半导体基板之间产生寄生效应而造成电感损失。

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