Peregrine半导体场推出UltraCMOS Global 1射频前端

Peregrine半导体公司在电子设计创新会议(EDI CON 2014)上，宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global 1是行业中第一个可重构射频前端( RFFE )系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS Global 1是单一平台的设计── 一个SKU，全球使用──能够在全球所有地区运作。该系统包括产业界第一个LTE CMOS功率放大器(PA)，它达到砷化镓(GaAs )技术功率放大器的性能。UltraCMOS Global 1 功率放大器提供宽频带功放通道，支持中国近期发放了牌照的TDD -LTE技术网络。

UltraCMOS Global 1是可重构系统LTE设备市场的迅速增长对射频前端的性能提出了前所未有的要求。为了满足40个以上频段和运行状态数目可能增加5000倍以上的需要，产业界现在需要可重新配置、可调谐的射频前端。 Peregrine半导体公司的UltraCMOS Global 1是一种易于使用的数字控制射频前端，适用于一切模式和频段，隔离性能好，解决了互操作问题。它可以扩展，轻而易举地支持更多的频段，而且开关损耗小，可调谐。这样高水平的可重构能力只有用Peregrine半导体公司的UltraCMOS 10技术平台方能做到。UltraCMOS 10是先进的CMOS工艺，它利用射频SOI基片，比起同类的解决方案，在性能方面提高了50 %。UltraCMOS Global 1就是在这个先进的技术平台上制造而成的。

Peregrine半导体的UltraCMOS Global 1，是第一个可重构的射频前端(RFFE)系统，它包含多模式、多频带功率放大器，置于功放之后的开关，天线开关和天线调谐器，这些都做在一块芯片上。

UltraCMOS Global 1是在一块芯片上，把Peregrine半导体最好的、成熟的射频开关和调谐器紧密无间地与CMOS功率放大器集成在一起。UltraCMOS Global 1射频前端系统包含：

• 3路MMMB功率放大器，置于功放之后的开关，天线开关和天线调谐器

• 支持包络跟踪

• 通用射频前端 MIPI接口

UltraCMOS Global 1对于整个无线生态系统是有利的。平台提供商和原始设备制造商(OEM)可以建立一个单一的平台设计，面向全球市场，从而加快产品上市时间。消费者可以得到更长的电池寿命，更好的接收效果，更快的数据传输速率和更广阔的漫游范围。最后，使用性能改进了的射频前端，可以扩大覆盖范围并减少掉线，无线运营商可以降低他们在网络上的资本投入。

UltraCMOS Global 1射频前端系统的平台整合将在2014年完成，将在2015年后期投入大批量生产。

UltraCMOS Global 1功放在性能方面有许多优势

UltraCMOS Global 1采用业界第一个LTE CMOS功率放大器，它的性能与领先的砷化镓功率放大器相同。在相邻信道泄漏比(ACLR)为-38 dBc的情况下，使用WCDMA (语音)波形，UltraCMOS Global 1功放的PAE(功率附加效率)性能接近50%。这个性能与领先的GaAs功放的性能在同一个水平，超过其他CMOS功放十个百分点，这表示效率提高了33 %。此外，对于LTE波形，在不同资源块分配的情况下，UltraCMOS Global 1功放的PAE性能与GaAs功放相当。达到这个水平性能，并不需要增强包络跟踪，也不需要数字预失真，在CMOS功放与砷化镓功放进行性能对比测试时，往往加强包络跟踪，并使用数字预失真。

“Peregrine半导体公司的UltraCMOS Global 1 功放在市场上掀起了轩然大波，它将加速功放前端市场从砷化镓技术过渡到CMOS功率放大器。”Strategy Analytics公司射频和无线元件总监Christopher Taylor说。“在2014年世界移动通信大会上进行的演示中，在所有功率电平上，Peregrine半导体的UltraCMOS Global 1 功率放大器与具有领先优势的砷化镓功放显然不相伯仲，在此基础上，由于CMOS的集成能力，Peregrine半导体的功放具有更强的灵活性。”