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NAND Flash进入10纳米时代

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zhiweiqiang33 发表于 2014-7-11 14:02:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代,DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术,有利DRAM的先进制程转换,但电容器制程问题是一大难题,由于采用新材料将直接影响生产单价,导致存储器业者态度并不积极。

据ET News报导,日前业界传出消息,指出DRAM制程短期内恐停滞在20纳米的可能性很高。由25纳米转进20纳米时,追加设备投资的负担不大,但10纳米代的制程建设,没有追加相当的预算无法完成。

尤其美光(Micron)对于DRAM制程从25纳米转换成20纳米一事,似乎相当犹豫;而三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等领先企业的策略,则是优先投资系统半导体、NAND Flash制程转换。如此一来,DRAM的10纳米时代来临,恐怕将比当初预期晚。

不久前三星电子将DRAM制程从25纳米转换成20纳米,业界对先进制程竞争的关注也同步升高。半导体专家们认为,20纳米的DRAM制程技术稳定之后,将迅速进入10纳米制程。

然而进展却不如预期,虽然进入10纳米的QPT制程费用快速调降,有利于DRAM制程转换。根据估计,QPT制程费用比起目前的双重曝光(Double Patterning;DPT)制程减少15%,然而电容器制程问题却阻挡了DRAM技术的进展。

原因在于DRAM越是精细化,电容器形成难度就呈等比级数增加。欲进行更精细的制程,DRAM表面上电容器面积不能避免地必须减少,电容器若想储存相同数量的电荷,只能增加高度让体积维持相同水准。

但是电容器若以细长条状形成,不但容易断裂,碰触支柱也会引起故障,此外蚀刻制程也比预期复杂。

由此看来,开发出能够替代电容器现行素材的新材料,将是开启DRAM的10纳米时代关键。半导体专家表示,若使用新的磁性材料,目前电容器问题可获解决,但使用新材料会让半导体晶圆厂产生良率问题,直接影响到生产单价,导致存储器业者态度并不积极。

另一方面,系统半导体与NAND Flash技术快速进展,也影响业者的策略。 NAND Flash进入16纳米制程已近在眼前,系统半导体也受益于鳍式场效晶体管(FinFET)技术,让14~16纳米先进制程得以应用。
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