企业级服务器用DDR4内存

三星电子存储芯片事业部内存市场营销负责人白智淏副总裁表示：“通过推出采用3D TSV技术的尖端解决方案，三星力求加强在DRAM市场的竞争优势，并进而推动全球DRAM市场的增长。预计今年下半年下一代CPU即将问世，而DDR4市场规模也有望随之显著扩大。此次推出的采用3D TSV封装技术的高效节能型DDR4内存模块，正是三星领先主流DDR4市场的又一新作。”

继去年首次量产3D V-NAND闪存之后，三星此次量产3D TSV内存模块标志着存储技术史上的一个新的里程碑。如果说3D V-NAND技术实现了单颗裸片上各个存储单元如高楼般的垂直堆叠结构，那么创新性的3D TSV封装技术则实现了多层堆叠的裸片之间的垂直互连。通过此次推出全新的TSV内存模块，三星更加稳固了其在“3D内存时代”的科技领先地位。

为了成功制造一个3D TSV DDR4 DRAM封装，需要将DDR4裸片研磨至厚度仅为数十微米，并打出数百个通孔。有源电路直接穿过这些通孔，而裸片之间则通过有源电路实现垂直互连。因此，与引线键合封装技术相比，采用TSV封装技术的64GB内存模块速度最高提升一倍，而能耗也降低约一半。

今后，三星有望采用3D TSV技术将DDR4裸片堆叠4层以上，制造出密度更高的内存模块。鉴于服务器市场正加速从DDR3向DDR4过渡，预计此举将加快高端内存市场的扩大。

自2010年和2011年分别成功研发出基于3D TSV技术的40纳米级8GB DRAM RDIMM和30纳米级32GB DRAM RDIMM以来，三星一直在不断改善3D TSV技术。今年，三星专为TSV封装开始运行了一套新的制造系统，用来量产新型服务器用内存模块。

据Gartner的研究报告，全球DRAM市场规模预计将于年内在金额上达到386亿美元，在容量上达到298亿Gb。其中服务器市场将约有67亿Gb，约占今年整个DRAM生产规模的20%以上。

企业级服务器用DDR4内存

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