3D-IC硅片通道大容量设备制造的主要障碍

GEMINI FB XT在晶圆键合领域突破国际半导体技术蓝图标准，晶圆对晶圆排列效果提升可达三倍；同时强化生产能量，使产能增加50%

EVG集团今日公布了新一代融化晶圆键合平台GEMINI FB XT，该平台汇集多项技术突破，令半导体行业向实现3D-IC硅片通道高容量生产的目标又迈进了一步。新平台晶圆对晶圆排列精度是过去标准平台的三倍，生产能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平台还为半导体行业应用3D-IC及硅片通道技术扫清了几大关键障碍，使半导体行业能够在未来不断提升设备密度，强化设备机能，同时又无需求助于越发昂贵复杂的光刻工艺技术。

晶圆对晶圆键合是激活诸如堆叠式内存，逻辑记忆以及未来互补金属氧化物半导体图像感应器等3D装置的一个关键步骤。与此同时，是实现各键合晶圆之间电接触点的硅片通道尺寸的最小化，降低3D装置成本，支持更高水平装置性能及带宽，减少装置耗电量的一个关键方面。然而，只有实现了各晶圆之间紧密排列和套准精度，保证键合晶圆上互相连接的装置维持高效电接触，并且将键合面上的连接区域最小化，才能够将更多的晶圆面积用于装置生产。

对位精度是3D-IC融化键合的关键

根据2012年国际半导体技术蓝图显示，应用高密度硅片通道必须在2015年以前达到键合晶圆对位精度500纳米（3西格玛）。而要实现混合键合高产量，则需要更高的精度规格。 GEMINI FB XT平台包含了EVG集团新推出的SmartView NT2键合对准机，能够大幅提升晶圆对晶圆对位精度至200纳米以下（3西格玛）。这意味着，同过去大量使用的SmartView NT平台——即先前的行业晶圆对位精度基准——相比，新平台的晶圆对位精度将达到先前的三倍，突破最新的国际半导体技术蓝图标准，为正在考虑在产品设计中引入3D-IC及硅片通道技术的制造商清除一个关键障碍。一体化的计量模块在预先键合后确定排列能够使客户在必要时迅速调整高容量生产加工的键和过程。

XT架构平台是EVG集团在半导体行业广泛使用的一款平台，相比之下，GEMINI FB XT则是为了实现超高能吞吐量及性能而专门优化设计的。额外添加的预先和事后加工模组所具备的晶圆清洁、平面准备、等粒子激活以及晶圆键合排列功能使得该平台的吞吐量提高了50%。而除此之外，由于新平台的晶圆排列更加紧密，IC制造商们得以将晶圆堆叠从半导体制造价值链的中后段加工推至最前端。而这又使得装置制造商们能够从晶圆层面为各自的产品添加更多功能，同时，高水平的并行加工又能够大幅度降低3D-IC及硅片通道的制造成本，真可谓是一举多得。

“随着EUV平板印刷技术不断延期，3D-IC及硅片通道一体化已经逐渐成为未来半导体装置延续摩尔定律的最具潜力的方式之一。不过，要在新兴的记忆逻辑应用中融入3D-IC和硅片通道技术，首先必须实现晶圆对晶圆紧密排列。”EVG集团技术主管Paul Lindner如是说道。“EVG集团将继续不断改进旗下的3D-IC及硅片通道应用产品，以帮助客户能尽早实现3D-IC技术的商业化，新一代的GEMINI FB XT平台是实现这一目标的一个重要里程碑，我们期待与客户们一道努力，争取最大的发挥出3D-IC高产量制造的潜力。”

3D-IC硅片通道大容量设备制造的主要障碍

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