基本半导体参加电气化交通前沿技术论坛

7月7日至8日，致力于碳化硅功率器" title="功率器" target="_blank">功率器件技术创新的深圳基本半导体有限公司（以下简称基本半导体）出席电气化交通前沿技术论坛。本次活动由清华大学、英国诺丁汉大学、中车株洲电力机车研究所联合主办，邀请众多专家学者和企业代表探讨电气化交通的关键技术与发展方向。

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气化交通前沿技术论坛与会嘉宾合影

电气化交通具有绿色清洁、节能环保、可靠性高、经济性好等优势，是解决能源短缺和环境污染问题的重要方向和手段，具有广阔的科研和产业发展空间。论坛期间，与会专家围绕电气工程应用的轨道交通、电动汽车、船舶电力、新型电力电子器件、储能、智能电网和能源互联网技术等多个主题进行深入探讨。

此外，如何实现电气化交通的“高效、高功率密度、高可靠性、高性能、低成本”等共性问题，也成为此次论坛关注的焦点。基本半导体副总经理张振中博士从电力电子器件行业角度提出了解决办法，他表示为满足电气化交通工具的高性能需求，大力发展碳化硅功率器件产业的趋势已成为行业共识。

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基本半导体副总经理张振中博士作主题演讲

碳化硅材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优点，通过采用耐高压、高频、高温的碳化硅功率器件，电力电子设备的功率密度可以大幅提升，能够减小50％的损耗、40％的体积和30％的重量，非常适合应用于新一代的电气化交通工具。

专注于碳化硅功率器件技术创新和产业化的基本半导体，由国内IGBT驱动领军品牌青铜剑科技与有20多年碳化硅研发历史的瑞典企业ASCATRON AB共同创办。基本半导体通过整合海内外优势资源，目前在碳化硅功率器件领域已有了突破性进展：基于6英寸晶圆的1200V／20A JBS碳化硅二极管各项指标已达到国际领先水平；1200V平面栅碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成样品评估，沟槽栅MOSFET已完成工艺设计，样品即将完成；10kV／2A SiC PiN二极管已实现量产。

正如清华大学副校长薛其坤院士在论坛开幕式指出，发展电气化交通对推进能源生产与消费革命具有重要意义。基本半导体将发挥自身所长，加快推动碳化硅功率器件研发及产业化，为电气化交通和能源领域的科技创新做出应有的贡献。