三星发布直到4nm完整的芯片工艺演进路线图

三星发布直到4nm完整的芯片工艺演进路线图

信息来源：http://news.rfidworld.com.cn/2017_07/a1d056ae266aa59e.html

摘要：
        三星电子已经宣布了一个全面的芯片铸造工艺技术演进路线图，以帮助客户设计和制造更快，更节能的芯片。
        从超大型数据中心到物联网(IoT)，行业所呈现的开发智能的，永远在线的连接设备的趋势越来越明显，这将会使得消费者以新的和强大的方式获得前所未有的信息。

关键词：
        三星                 4nm                  芯片

图1、三星发布直到4nm的全面完整的芯片工艺演进路线图

图3、三星在三星foundry论坛上发布完整的foundry工艺技术演进路线

三星电子已经宣布了一个全面的芯片铸造工艺技术演进路线图，以帮助客户设计和制造更快，更节能的芯片。
从超大型数据中心到物联网(IoT)，行业所呈现的开发智能的，永远在线的连接设备的趋势越来越明显，这将会使得消费者以新的和强大的方式获得前所未有的信息。
考虑到这一点，三星在其最新的工艺技术公布了业界领先的8nm，7nm，6nm，5nm，4nm以及18nm的FD-SOI的芯片工艺演进路线图。

图2、连接设备的急剧增加推动了芯片工艺的发展

三星在最新的三星foundry论坛上推出的最新foundry工艺技术和解决方案，其中包括：
　　FD-SOI(完全耗尽 - 绝缘体上的硅，Fully Depleted – Silicon on Insulator)：适用于IoT应用，三星将通过结合RF(射频)和eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器，embedded Magnetic Random Access Memory)选项逐步将其28FDS技术扩展到更广泛的平台中。
18FDS是三星FD-SOI路线图的下一代工艺节点，具有增强的PPA(电源/性能/面积，Power/Performance/Area)性能。

图4、FD-SOI

8LPP(8 nm低功率Plus，8 nm Low Power Plus)：
        8LPP在生产工艺转换为EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技术之前，具有最大的竞争优势。
        结合三星10nm技术的关键工艺流程创新，与10LPP相比，8LPP在性能和门电路密度方面提供了额外的优势。

7LPP(7 nm低功率Plus，7 nm Low Power Plus)：
        7LPP将是第一个使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术。
        通过三星和ASML的合作，开发出了250W最大的EUV源功率，这是EUV插入到大量生产中的最重要的里程碑。
        EUV光刻技术的部署将打破摩尔定律扩展的障碍，为单一的纳米半导体技术的发展铺平了道路。

6LPP(6 nm低功率Plus，6 nm Low Power Plus)：
        6LPP将采用三星独特的智能缩放(Smart Scaling)解决方案，将其纳入基于EUV的7LPP技术之上，可实现更大面积扩展和超低功耗优势。

5LPP(5纳米低功率Plus，5 nm Low Power Plus)：
        5LPP通过实施下一代4LPP工艺生产技术的创新，扩展了FinFET结构的物理尺寸限制，以实现更好的缩放和更低的功耗。

4LPP(4 nm低功率Plus)：
        4LPP将成为下一代器件架构 - MBCFETTM结构(Multi Bridge Channel FET)的第一个实现的产品。
        MBCFETTM是三星独特的GAAFET(Gate All Around FET)技术，它使用Nanosheet器件来克服FinFET架构的物理尺寸和性能限制。

三星Foundry的先进工艺技术路线图证明了其客户和生态系统合作伙伴关系的协同性。
包含上述工艺技术将使新设备呈现出爆炸式的增长，并将以前所未有的方式来连接消费者。

图5、除了智能手机外三星电子还是一个全面的芯片foundry解决方案提供商